晶體振蕩器作為高穩定的時鐘源，是多種設備的關鍵部件。它被廣泛應用在移動通信、無線電通信、工業測量等各種應用上。這些應用和設備高速、大量數據傳輸的趨勢，使得高頻晶體振蕩器的需求不斷增長。
基極接地的共基電容三點式晶體振蕩器的輸出頻率由晶體諧振器和兩個外接電容生成，它具有良好的短期穩定度。然而，在高頻率范圍，振蕩回路的電容很小，晶體管的寄生參量，如極間電容、極間電阻等影響變大。這使得振蕩器的穩定性下降。因此在電路設計中，
我們需要減小晶體管寄生參量的影響。這可以通過減小晶體管各端極之間的介入系數P 來實現。
在本文中，我們將先介紹典型的共基電容三點式晶體振蕩器電路，然后介紹減小晶體管各端極之間的介入系數P 的方法，最后展示用該方案設計的433MHz SAW 振蕩器。
共基電容三點式晶體振蕩器電路具有良好的高頻特性，適用于高頻工作。隨著振蕩頻率的提高，晶體管極間寄生參量的影響變大。我們通過減小晶體管各端極之間的接入系數，大大減小了其寄生參量的影響，使得振蕩器的穩定性提高。
同時，我們從433MHz SAW 振蕩器的設計中證實，改進的共基電容三點式晶體振蕩器電路，對于高頻范圍具有良好的效果。我們將進一步研究提高這個電路穩定性的方法。
